Лінія значэнняў STM32H7, 32-бітны высокапрадукцыйны MCU

Лінія значэнняў STMicroelectronics 32-разрадная высокапрадукцыйная MCU прапануе ад 128 КБ да 1 МБ флэш-памяці

32-разрадная высокапрадукцыйная калькулятарная лінія STM32E7 STMicroelectronics прапануе ад 128 КБ да 1 МБ флэш-памяці. У лінейцы прадстаўлены вырабы STM32H730; STM32H725 / 735 і STM32H723 / 733.

Лінія значэнняў STM32H730 забяспечвае 128 Кбайт, 564 Кбайт SRAM з наступнай архітэктурай: 128 Кбайт аператыўнай памяці ТКМ для крытычна важных дадзеных у рэальным часе, 432 Кбайт аператыўнай аператыўнай памяці (да 256 Кбайт можа пераназначыць інструкцыю ТКМ АЗП для важных інструкцый у рэжыме рэальнага часу ), 4 Кбайт рэзервовай SRAM (даступны ў рэжымах з мінімальнай магутнасцю) і пакеты ад 100 да 176 кантактаў у профілях BGA і LQFP.

Лінія MCM STM32H725 / 735 забяспечвае 512 Кбайт да 1 Мбайт флэш-памяці, 564 Кбайт SRAM з наступнай архітэктурай: 128 Кбайт аператыўнай памяці аператыўнай памяці дадзеных для крытычных дадзеных у рэжыме рэальнага часу, 432 Кбайт аператыўнай памяці (да 256 Кбайт можна пераназначыць па інструкцыі Аператыўная памяць TCM для важных інструкцый у рэжыме рэальнага часу), 4 Кбайт рэзервовага SRAM (даступны ў рэжымах з мінімальнай магутнасцю) і 100-176-кантактныя пакеты ў профілях BGA і LQFP, а таксама пакеты VFQFN68 і WLCSP115.

Лінія MCM STM32H723 / 733 забяспечвае 512 Кбайт да 1 Мбайт флэш-памяці, 564 Кбайт SRAM з наступнай архітэктурай: 128 Кбайт аператыўнай памяці аператыўнай памяці для важных дадзеных у рэальным часе, 432 Кбайт аператыўнай аператыўнай памяці (да 256 Кбайт можна пераназначыць па інструкцыі Аператыўная памяць TCM для важных інструкцый у рэжыме рэальнага часу), 4 Кбайт рэзервовага SRAM (даступны ў рэжымах з мінімальнай магутнасцю) і пакеты ад 100 да 144 кантактаў у профілях BGA і LQFP.